>
>
Balistická elektronová emisní mikroskopie a spektroskopie kvantových InAs teček připravených různými technologiemi

Balistická elektronová emisní mikroskopie a spektroskopie kvantových InAs teček připravených různými technologiemi

Poskytovatel: Grantová agentura České republiky (GA ČR)
Hlavní příjemce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Řešitel:
Od: 1. ledna 2011
Do: 13. dubna 2015
Číslo projektu:

Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie budou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou technologií budou srovnány spektroskopické charakteristiky. Měření budou realizována na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí z organokovových sloučenin (MOVPE).

Skip to content