>
>
Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V

Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V

Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT)
Hlavní příjemce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Řešitel:
Od: 1. března 2012
Do: 30. listopadu 2013
Číslo projektu:

Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.

Skip to content