Vysoce čisté vrstvy InP budou připraveny metodou kapalné epitaxe s příměsí prvků vzácných zemin (RE) do růstové taveniny. RE v růstové tavenině getrují mělké příměsi. Přednostně jsou getrovány donorové příměsi. Při zvyšování obsahu RE v tavenině má přednostní getrování donorů za následek změnu vodivosti z typu n na typ p. Takto můžeme připravit vrstvy typu p s významně nižšími koncentracemi volných nosičů. Tyto vrstvy jsou vhodné pro přípravu Schottkyho kontaktů s vysokou výškou bariéry. Tlusté vrstvy typu p s kvalitními Schottkyho kontakty mohou nalézt využití ve strukturách pro detekci ionizujícího záření. Pochopení vzájemného vztahu mezi elektrickými a optickými měřeními a chemickou analýzou vrstev provedenou metodou SIMS napomůže stanovení dominantních příměsí a povede ke zlepšení technologie růstu. Bude podrobně popsán proces getrace spolu s vysvětlením změny vodivostního typu.
Menu