Cílem projektu je připravit nové heterostruktury nanodrátů ZnO/(Al,Ga)N pro optoelektroniku a studovat jejich základní elektrické a optické vlastnosti. Dvě vzájemně se doplňující technologie, plazmou asistovaná molekulární svazková epitaxe (PAMBE) a depozice z chemických roztoků (CBD), budou použity pro růst (Al,Ga)N, resp. ZnO části struktury. PAMBE nabízí vysokou míru volnosti v návrhu bezdislokačních (Al,Ga)N zárodků s kontrolou jejich polarity a hustoty, zatímco CBD v reaktorech s kontinuálním průtokem s přesně řízeným přesycením zajistí rozhraní ZnO/(Al,Ga)N vysoké kvality, což je zásadní pro vysokou účinnost luminescence. Projekt je jedinečný kombinací elektrické charakterizace jednotlivých heterostruktur nanodrátů pomocí nanomanipulátorů umístěných v rastrovacím elektronovém mikroskopu a charakterizací na nanoúrovni pomocí nízkoteplotní katodoluminiscence, měření proudu indukovaného elektronovým svazkem a transmisní elektronové mikroskopie. Zvláštní pozornost bude věnována studiu transportu náboje v jednotlivých heterostrukturách.
Menu