Unikátní vlastnosti ZnO a jednoduchost přípravy jeho nanostruktur činí tento materiál velmi atraktivním pro řadu optoelektronických aplikací. Pro plné využití potenciálu ZnO je nutné vyřešit jeden ze zásadních problémů: připravit vysoce kvalitní usměrňující přechod. Neexistence ZnO s p-typem elektrické vodivosti zvýrazňuje důležitost studia hybridních heteropřechodů. Jednou z klíčových otázek v těchto heteropřechodech je porozumění mechanizmů transportu náboje. Naším cílem je systematicky analyzovat transportní mechanizmy v hybridních heteropřechodech tvořených jednotlivými nanotyčinkami ZnO nebo jejich poli a GaN(SiC) substrátem s vodivostí typu p. Cíle projektu představují výzvu s řadou potenciálních aplikací, zejména ve světlo emitujících součástkách, fotodetektorech, a solárních článcích.
Menu