Key
Search
Facebook-f X-twitter Youtube Linkedin

Širokopásové polovodiče pro detektory hlubokého UV záření a chemické senzory

Tým Nanomateriálů se podílel na vývoji, přípravě a charakterizaci širokopásových polovodičových materiálů a struktur pro aplikace v senzorech plynů a detektorech hlubokého ultrafialového (UV) záření. Připravili jsme vrstvy oxidu gallitého [1] a vyvinuli unikátní postup pro miniaturizaci grafenových transparentních elektrod s využitím v detektorech UV záření [2]. Jako první jsme odhalili mechanismus detekce oxidujících a redukujících látek při nízkých teplotách v nanostrukturách oxidu gallitého [3].
schema

Obr. Schématické znázornění mechanismu detekce oxidujících (a) a redukujících (b) plynů v jednodimenzionálních nanostrukturách Ga2O3. Změna polohy Ga 2p píku pozorovaný pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie ve vyšších tlacích experimentálně
potvrzuje, že v důsledku interakce povrchu nanostruktur Ga2O3 s měřeným plynem dochází ke změně jejich elektrické vodivosti.

Publikace:

  • [1] A.V. Vasin, R. Yatskiv, O. Černohorský, N. Bašinová, J. Grym, A. Korchovyi, A.N. Nazarov, J. Maixner, Challenges and solutions in Mist-CVD of Ga2O3 heteroepitaxial films, Materials Science in Semiconductor Processing 186 (2025) 109063. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.109063
  • [2] S. Tiagulskyi, R. Yatskiv, O. Černohorský, J. Vaniš, J. Grym, Perspectives of miniaturization of β-Ga2O3 devices with graphene electrodes, Materials Science in Semiconductor Processing 176 (2024) 108343. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108343
  • [3] R. Yatskiv, M. Vorochta, N. Bašinová, T.N. Dinhova, J. Maixner, J. Grym, Low-temperature gas sensing mechanism in β-Ga2O3 nanostructures revealed by near-ambient pressure XPS, Applied Surface Science 663 (2024) 160155. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160155
Všechny významné výsledky
Skip to content